イベントのご案内
非シリコン半導体の現状と展望
| [協賛予定] |
応用物理学会、電子情報通信学会、電気学会、日本物理学会、日本表面科学会、 日本材料科学会、日本材料学会、日本セラミックス協会、日本鉄鋼協会、自動車技術会、 未踏科学技術協会、金属系材料研究開発センター |
（企画世話人 物質・材料研究機構 小出康夫、 超先端電子技術開発機構 生田目俊秀、 大阪大 藤原康文、大阪府立大 藤村紀文）
| 日 時 | 2006年3月29日（水）10：00～16:40 |
| 場 所 | 文部科学省研究交流センター ２階第２会議室 〒305-0032つくば市竹園 2-20-5 TEL:029-851-1331, FAX:029-856-0464 http://www.mexttci.go.jp/index_j.html （つくばエクスプレス・・・・・徒歩20分程度、タクシーで5分程度） |
| 募集定員 | ７０名 |
| 受 講 料 | |
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（本会維持員会社社員、協賛学協会会員は会員扱い。学生は会員、非会員の区別なし）受講資格 （テキスト代含む・税込） 事前申込 当日申込 正 員 12,000円 15,000円 学 生 5,000円 6,000円 非会員 15,000円 20,000円
| 申込要領 |
E-mailで apply@jim.or.jp 宛お申し込み下さい。 申込項目は以下のとおりです。 (1）送信subjectに「セミナー非シリコン半導体」と記入、(2）氏名・年齢、(3）会員・非会員・学生の区別（本会会員は会員番号も(4）勤務先・所属、(5）通信先住所（テキスト等送付先と電話番号）申込受理確認のE-mailを返信します。 |
| 事前申込締切 | 2006年3月15日（水）着信 |
| テキストの送付 | 開催10日前後までに発行送付の予定です。事前に申し込まれた方にはテキストが出来次第参加証等関係資料とともにお送りいたします。 |
| 受講料払込方法 | テキスト送付の折に請求書と振替用紙を同封いたします。お支払いは開催後でもかまいません。 |
| 問合先 |
〒980-8544 仙台市青葉区一番町1-14-32フライハイトビル２階 （社）日本金属学会 セミナー参加係 E-mail：apply@jim.or.jp TEL：022-223-3685 FAX：022-223-6312 |
| 10:00-10:05 | 挨 拶 |
| 10:05-10:55 | （１）III 族窒化物半導体光・電子デバイスの展望 |
| 名城大 天野 浩 | |
| 10:55-11:45 | （２）III－V 族化合物半導体光デバイスの新しい潮流 |
| 阪大 藤原康文 | |
| 11:45-13:00 | 昼食 |
| 13:00-13:50 | （３）ZnO 系酸化物半導体光・電子デバイスの展望 |
| 東北大 川崎雅司 | |
| 13:50-14:40 | （４）ダイヤモンド半導体光・電子デバイスの展望 |
| 物材機構 小出康夫 | |
| 14:40-15:00 | 休憩 |
| 15:00-15:50 | （５）強誘電体電子デバイスの展望 |
| 大阪府大 藤村紀文 | |
| 15:50-16:40 | （６）Ge 系電子デバイスの展望 |
| 東大 鳥海 明 | |
| （各講義には10分程度の質疑応答時間を含む） | |
| 【講 義 要 旨】 | |
| 1 | III 族窒化物半導体光・電子デバイスの展望 （天野 浩） |
| III 族窒化物半導体は、既に大きな市場を形成している。SiやGaAs系デバイスと異なり、一部のデバイスを除いて殆どが格子不整合の大きい基板上に成長されており、材料としてのポテンシャルの高さは間違いない。しかし、今後、今以上に生活者の役に立つには、基板つくりとともに、解決すべき課題は山積している。講演では、現在の問題とそれを解決するための取り組みの例を紹介する。 | |
| 2 | III－V 族化合物半導体光デバイスの新しい潮流 （藤原康文） |
| 本講演では「希土類添加半導体」を取り上げる。絶縁体中に添加された希土類元素は 母体の種類に大きく左右されず、各元素に特有の波長で、鋭くかつ温度依存性が極めて小さい発光スペクトルを示すことが知られており、照明やディスプレイ、固体レーザ等に広く用いられている。本講演では希土類元素を半導体に添加することにより何が期待できるのかについて、最近の話題を紹介しながら概説する。 | |
| 3 | ZnO 系酸化物半導体光・電子デバイスの展望 （川崎雅司） |
| 化粧品に使用する白い粉「酸化亜鉛」は、ガスセンサーやバリスターなど電子材料としては研究し尽くされたと考えられた古い材料である。精緻な薄膜技術により、紫外発光LED・レーザ、透明トランジスタとして最近脚光を浴び、新しい命が吹き込まれた。講演では、酸化亜鉛の性質、薄膜作成法、結晶の評価を説明し、ドーピングとヘテロ構造の実際とデバイスの特性を議論する。 | |
| 4 | ダイヤモンド半導体光・電子デバイスの展望 （小出康夫） |
| デバイス物理としてキャリア濃度やドーパント制御およびヘテロ接合界面に着目することによって、ダイヤモンド半導体の物理学的特徴をシリコンや化合物半導体等他の半導体材料と比較しながら説明する。その後、その特徴を踏まえて光・電子デバイスへの展開の現状を概観するとともに、将来展望を述べる。 | |
| 5 | 強誘電体電子デバイスの展望（藤村紀文） |
| 強誘電体を用いた新規な電子デバイスの現状を振り返るとともにこれからの展望を概観する。最初に強誘電体メモリの基礎を述べた後に、強誘電体をゲートに用いたシリコンチャネルのトランジスタに関して、そのメリットとデメリットを述べる。最後にシリコン以外のチャネルを用いたトランジスタの可能性に関して実験例を示しながら展望する。 | |
| 6 | Ge 系電子デバイスの展望 （鳥海 明） |
| 最近、ポストSiデバイスの候補としてGeデバイスに関する関心が高まっている。本セミナーでは、LSI技術の中での極微細デバイスにおいて、Geのどの部分に興味の焦点があり、どこに問題があるのか、High-k/Ge技術、接合技術の課題、また物性としての課題という観点から整理する。 | |